TTL - Versionsgeschichte

Thomas am 2. März 2023 um 10:25 Uhr

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	~~[[Datei:74LS00 Übertragungskennlinie.png\|mini\|Übertragungskennlinie eines Low-Power-Schottky-TTL-[[Nicht-Gatter\|Inverters]]]]~~

	Eine deutliche Verbesserung der Geschwindigkeit der TTL-Technik wurde durch die Implementierung mit Schottky-Transistoren erreicht. Ein Schottky-Transistor ist im Wesentlichen ein [[Bipolartransistor]], bei dem eine [[Schottky-Diode]] oder eine Hot-Carrier-Diode zwischen Basis und [[Kollektor (Elektrotechnik)\|Kollektor]] geschaltet ist. Diese [[Diode]] verhindert die Sättigung der [[Transistor\|Transistoren]] in der TTL-Schaltung und verbessert dadurch ihre Fähigkeit, bei höheren Geschwindigkeiten zu schalten.		Eine deutliche Verbesserung der Geschwindigkeit der TTL-Technik wurde durch die Implementierung mit Schottky-Transistoren erreicht. Ein Schottky-Transistor ist im Wesentlichen ein [[Bipolartransistor]], bei dem eine [[Schottky-Diode]] oder eine Hot-Carrier-Diode zwischen Basis und [[Kollektor (Elektrotechnik)\|Kollektor]] geschaltet ist. Diese [[Diode]] verhindert die Sättigung der [[Transistor\|Transistoren]] in der TTL-Schaltung und verbessert dadurch ihre Fähigkeit, bei höheren Geschwindigkeiten zu schalten.

Thomas am 2. März 2023 um 10:04 Uhr

2023-03-02T10:04:30Z

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	[[Datei:74LS00 Übertragungskennlinie.~~svg~~\|mini\|Übertragungskennlinie eines Low-Power-Schottky-TTL-[[Nicht-Gatter\|Inverters]]]]		[[Datei:74LS00 Übertragungskennlinie.png\|mini\|Übertragungskennlinie eines Low-Power-Schottky-TTL-[[Nicht-Gatter\|Inverters]]]]

	Eine deutliche Verbesserung der Geschwindigkeit der TTL-Technik wurde durch die Implementierung mit Schottky-Transistoren erreicht. Ein Schottky-Transistor ist im Wesentlichen ein [[Bipolartransistor]], bei dem eine [[Schottky-Diode]] oder eine Hot-Carrier-Diode zwischen Basis und [[Kollektor (Elektrotechnik)\|Kollektor]] geschaltet ist. Diese [[Diode]] verhindert die Sättigung der [[Transistor\|Transistoren]] in der TTL-Schaltung und verbessert dadurch ihre Fähigkeit, bei höheren Geschwindigkeiten zu schalten.		Eine deutliche Verbesserung der Geschwindigkeit der TTL-Technik wurde durch die Implementierung mit Schottky-Transistoren erreicht. Ein Schottky-Transistor ist im Wesentlichen ein [[Bipolartransistor]], bei dem eine [[Schottky-Diode]] oder eine Hot-Carrier-Diode zwischen Basis und [[Kollektor (Elektrotechnik)\|Kollektor]] geschaltet ist. Diese [[Diode]] verhindert die Sättigung der [[Transistor\|Transistoren]] in der TTL-Schaltung und verbessert dadurch ihre Fähigkeit, bei höheren Geschwindigkeiten zu schalten.

Thomas am 2. März 2023 um 09:53 Uhr

2023-03-02T09:53:26Z

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	[[Datei:7400 Circuit.~~svg~~\|mini~~\|hochkant=1.3~~\|Schaltung eines [[NAND-Gatter]]s in Standard-TTL-Technik: Type 7400, [[Verlustleistung\|P<sub>V</sub>]] = 10 [[Milliwatt\|mW]]; [[Gatterlaufzeit\|t<sub>pd</sub>]] = 10 [[Nanosekunde\|ns]]]]		[[Datei:7400 Circuit.png\|mini\|Schaltung eines [[NAND-Gatter]]s in Standard-TTL-Technik: Type 7400, [[Verlustleistung\|P<sub>V</sub>]] = 10 [[Milliwatt\|mW]]; [[Gatterlaufzeit\|t<sub>pd</sub>]] = 10 [[Nanosekunde\|ns]]]]

	Standard-TTL-[[Integrierter Schaltkreis\|Schaltkreise]] sind für einen Betrieb an einer Versorgungsspannung von 5 V mit einer Abweichung von 5 % ausgelegt.		Standard-TTL-[[Integrierter Schaltkreis\|Schaltkreise]] sind für einen Betrieb an einer Versorgungsspannung von 5 V mit einer Abweichung von 5 % ausgelegt.

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	=== Schottky-TTL ===		=== Schottky-TTL ===
	[[Datei:74LS00 Circuit.svg\|mini~~\|hochkant=1~~\|[[NAND-Gatter]] in Low-Power-Schottky-TTL-Bauweise<br />Type: 74LS00; [[Verlustleistung\|P<sub>V</sub>]] = 2 [[Milliwatt\|mW]]; t<sub>pd</sub> = 10 [[Nanosekunde\|ns]]		[[Datei:1280px-74LS00 Circuit.svg.png\|mini\|[[NAND-Gatter]] in Low-Power-Schottky-TTL-Bauweise<br />Type: 74LS00; [[Verlustleistung\|P<sub>V</sub>]] = 2 [[Milliwatt\|mW]]; t<sub>pd</sub> = 10 [[Nanosekunde\|ns]]]]
	]]
	[[Datei:74LS00 Übertragungskennlinie.svg\|mini\|Übertragungskennlinie eines Low-Power-Schottky-TTL-[[Nicht-Gatter\|Inverters]]]]		[[Datei:74LS00 Übertragungskennlinie.svg\|mini\|Übertragungskennlinie eines Low-Power-Schottky-TTL-[[Nicht-Gatter\|Inverters]]]]

Thomas: Die Seite wurde neu angelegt: „Die '''Transistor-Transistor-Logik''' ('''TTL''') ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn-Bipolartransistoren verwendet werden. Bei der N-Familie wird meist an verbundenen Eingängen ein Multiemitter-Transistor eingesetzt, so dass für mehrere Eingänge nur ein Tran…“

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Die Seite wurde neu angelegt: „Die '''Transistor-Transistor-Logik''' ('''TTL''') ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn-Bipolartransistoren verwendet werden. Bei der N-Familie wird meist an verbundenen Eingängen ein Multiemitter-Transistor eingesetzt, so dass für mehrere Eingänge nur ein Tran…“

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Die '''Transistor-Transistor-Logik''' ('''TTL''') ist eine [[Schaltungstechnik]] ([[Logikfamilie]]) für logische Schaltungen ([[Logikgatter|Gatter]]), bei der als aktives [[Elektrisches Bauelement|Bauelement]] der Schaltung [[Planartechnik|planare]] [[Bipolartransistor|npn-Bipolartransistoren]] verwendet werden. Bei der N-Familie wird meist an verbundenen Eingängen ein [[Multiemitter-Transistor]] eingesetzt, so dass für mehrere Eingänge nur ein [[Transistor]] erforderlich ist; bei der LS-Familie sowie bei [[Schmitt-Trigger]]-Eingängen wird die AND-Verschaltung der Eingänge mittels Dioden realisiert.

[[Datei:TexasInstruments 7400 chip, view and element placement.jpg|mini|7400-Chip (Vierfach-[[NAND-Gatter]]) aus dem Jahr 1976]]

== Geschichte ==
Die TTL-Technik wurde 1961 von James L. Buie bei [[TRW Inc.|TRW]] erfunden.<ref>{{Patent|Erfinder=J. Buie|Land=US|V-Nr=3283170|Titel=Coupling Transistor Logic and Other Circuits|V-Datum=1966-11-01}}</ref> Die ersten kommerziellen Schaltkreise produzierte die Firma ''Sylvania Electric Products''.<ref>[http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1963-TTL.html ''1963 - Standard Logic Families Introduced.''] The Computer History Museum, abgerufen am 17. Februar 2010.</ref> Eine ebenfalls auf Bipolartransistoren basierende Weiterentwicklung mit geringerem Stromverbrauch stellt die [[integrierte Injektionslogik]] (I²L) dar.

== Standard-TTL ==
[[Datei:7400 Circuit.svg|mini|hochkant=1.3|Schaltung eines [[NAND-Gatter]]s in Standard-TTL-Technik: Type 7400, [[Verlustleistung|PV]] = 10 [[Milliwatt|mW]]; [[Gatterlaufzeit|tpd]] = 10 [[Nanosekunde|ns]]]]

Standard-TTL-[[Integrierter Schaltkreis|Schaltkreise]] sind für einen Betrieb an einer Versorgungsspannung von 5 V mit einer Abweichung von 5 % ausgelegt.

Die Belastbarkeit der Ausgänge wird als [[Fan-Out]] bezeichnet, womit ausgedrückt wird, wie viele Eingänge ein Ausgang bedienen kann. Das ist für die typischen umfangreichen Logikschaltungen des TTL-Zeitalters von Bedeutung.

Eine hohe Spannung ist als [[H-Pegel|''High''-Pegel]] (in [[Positive Logik|positiver Logik]] eine logische 1) definiert, eine niedrige Spannung wird als ''Low''-Pegel bezeichnet (in positiver Logik eine logische 0). Die Schaltkreise sind so zu dimensionieren, dass Eingangsspannungen UE < 0,8 V als ''Low''-Pegel, und UE > 2,0 V als ''High''-Pegel erkannt werden. Die Ausgangsspannung UA bei nominaler Last muss < 0,4 V für den ''Low''-Pegel und > 2,4 V für den ''High''-Pegel betragen. Der statische Störabstand beträgt somit sowohl für ''High''- als auch für ''Low''-Pegel 0,4 V. Die tatsächliche Ausgangsspannung liegt lastabhängig zwischen gut 3 und knapp 4 V.

Logische Bausteine in TTL-Technik haben gegenüber [[Complementary metal-oxide-semiconductor|CMOS]]-Bausteinen den Vorteil, dass sie unempfindlicher gegenüber elektrostatischen Entladungen ([[Elektrostatische Entladung|ESD]]) sind und vor den großen Fortschritten der CMOS-Prozesstechnik um 1980 deutlich schneller waren. Wegen der stromgesteuerten Transistoren hat TTL im Vergleich zu CMOS eine hohe Stromaufnahme.

Das nebenstehende Bild zeigt den Aufbau eines TTL-NAND-Gatters. V1 ist der Multiemitter-Transistor, U1 und U2 sind die Eingänge. Eine Besonderheit von TTL-Schaltungen besteht darin, dass Eingänge einen kleinen Strom liefern, wenn sie ''Low'' sind bzw. mit Masse verbunden werden. Daher sind unbeschaltete Eingänge auf ''High''-Pegel. Gute Praxis ist jedoch, unbenutzte Eingänge dennoch auf High-Potential zu legen, damit ein definiertes bzw. erlaubtes Potential erzwungen wird. Unbeschaltete Eingänge können die passive Störsicherheit einer Schaltung massiv verschlechtern.

Dieses NAND-Gatter hat eine [[Verlustleistung]] von 10 mW ([[Milliwatt]]) und eine Gatterlaufzeit von 10 ns ([[Nanosekunde|Nanosekunden]]).

=== Funktionsweise ===
Das nebenstehend abgebildete NAND-Gatter mit 2 Eingängen (1/4 eines [[7400]]) arbeitet folgendermaßen:

Die UND-Funktion wird durch den Multiemitter-Transistor V1 in Basisschaltung gebildet. Wenn Eingang U1 ''oder'' U2 oder beide zusammen auf einen ''Low''-Pegel (unter 0,8 V) gelegt werden, wird V1 leitend, da nun über R1 ein Basisstrom fließt. Die nachfolgende Schaltung aus dem Ansteuertransistor V2 und einer [[Gegentaktendstufe]] ([[Totem-Pole-Schaltung]]) dient als schneller digitaler Treiber.

Entspreche der Ausgangszustand zunächst dem logischen ''Low''-Pegel. Der Transistor V4 ist voll leitend und somit in (Basisstrom-)Sättigung. Die Basis von V2 ist auf einem Potenzial zwischen 1,1 bis 1,5 V.
Jetzt wird die Basis von V2 wie oben beschrieben durch den Kollektor von V1 nahezu auf Masse (UV1CESat) gezogen, wodurch V2 sperrt. Damit wird die Basis von V3 ''High'', die von V4 ''Low''.
V4 bleibt weiterhin leitend, da seine Basis noch mit Ladungsträgern geflutet ist. V3 wird leitend und ein großer Querstrom durch R3, V3, V5, V4 fließt der die Ladungsträger aufbraucht. Ist dies geschehen steigt das Potenzial des Ausgangs sehr schnell an und der Querstrom geht zurück. V3 leitet und V4 sperrt, der Ausgang ist nun ''High''.
Da die TTL-Eingänge im statischen Fall keinen Strom senken, brauchen R3, V3 und V5 keinen Strom bereitstellen, wenn sie in einer reinen TTL-Schaltung und nicht als Treiber verwendet werden.

Nun gehen ''beide'' Eingänge auf ''High'', so wird V2 über die in Flussrichtung gepolte pn-Diode der Basis-Kollektor-Strecke von V1 mit Strom versorgt und leitend. V3 wird gesperrt und V4 leitend. Der Ausgang wird also nur dann ''Low'', wenn ''beide'' Eingänge ''High'' sind – die negierte UND-Logikfunktion.

In der ''[[Open-Collector-Ausgang|open collector]]''-Ausführung (offener Kollektor) fehlt V3, der Kollektor von V4 wird also offen zum Ausgang geführt. In diesem Fall muss an Stelle von R3 ein externer ''pull up''-Widerstand angeschlossen werden, um einen ''High''-Pegel zu erreichen. Diese Bauform ermöglicht es, mehrere Ausgänge parallel zu einem „Wired-AND“ (verdrahtetes UND) zusammenzuschalten. Jedes der parallel geschalteten Ausgänge kann den Knoten auf ''Low'' ziehen, ohne von den Logikzuständen der anderen Ausgänge beeinflusst zu werden. Tristate-Ausgänge dürfen hingegen nur dann parallel geschaltet werden, wenn sie niemals unterschiedliche Logikzustände haben.

== Varianten ==
=== Schottky-TTL ===
[[Datei:74LS00 Circuit.svg|mini|hochkant=1|[[NAND-Gatter]] in Low-Power-Schottky-TTL-Bauweise Type: 74LS00; [[Verlustleistung|PV]] = 2 [[Milliwatt|mW]]; tpd = 10 [[Nanosekunde|ns]]
]]
[[Datei:74LS00 Übertragungskennlinie.svg|mini|Übertragungskennlinie eines Low-Power-Schottky-TTL-[[Nicht-Gatter|Inverters]]]]

Eine deutliche Verbesserung der Geschwindigkeit der TTL-Technik wurde durch die Implementierung mit Schottky-Transistoren erreicht. Ein Schottky-Transistor ist im Wesentlichen ein [[Bipolartransistor]], bei dem eine [[Schottky-Diode]] oder eine Hot-Carrier-Diode zwischen Basis und [[Kollektor (Elektrotechnik)|Kollektor]] geschaltet ist. Diese [[Diode]] verhindert die Sättigung der [[Transistor|Transistoren]] in der TTL-Schaltung und verbessert dadurch ihre Fähigkeit, bei höheren Geschwindigkeiten zu schalten.

Um einen [[Bipolartransistor]] zu sättigen, muss der Basis des Transistors eine beträchtliche Strommenge zugeführt werden. Je höher der Basisstrom, desto schneller sättigt der [[Transistor]]. Eine Ansteuerung auf hoher Basis verlangsamt jedoch das Ausschalten des Transistors. Es dauert eine begrenzte Zeit, bis die [[Ladung (Physik)|Ladung]] auf der Basis entfernt ist, bevor der Transistor abschaltet. Es ist die eine Eigenschaft, die die Schaltgeschwindigkeit von gesättigten Logikschaltungen am stärksten einschränkt. Die Schottky-Diode zwischen der Basis und dem [[Kollektor (Elektrotechnik)|Kollektor]] des Bipolartransistors verhindert eine Sättigung und beseitigt daher dieses Problem. Die [[Schottky-Diode]] schaltet sehr schnell und benötigt je nach [[Temperatur]] nur 0,1 bis 0,3 Volt [[Vorwärtsspannung]]. Eine typische Schottky-TTL-Schaltung hat eine Ausbreitungsverzögerung von etwa 3 [[Nanosekunde|Nanosekunden]], was weniger als ein Drittel der Verzögerung des Standard-TTL-Schaltung ist. Diese erhöhte Geschwindigkeit wird mit einer Erhöhung der [[Verlustleistung]] auf etwa 20 [[Milliwatt]] erreicht.<ref name=":0">ECStudioSystems.com: [https://ecstudiosystems.com/discover/textbooks/basic-electronics/logic-gates/transistor-transistor-logic/ Transistor-Transistor Logic (TTL)]</ref>

{{Anker|Low Power|Low-Power-Schottky-TTL}}Um die Sättigung der [[Transistor|Transistoren]] zu verhindern, können in der Basis-Kollektor-Strecke [[Schottky-Diode]]n parallel geschaltet werden, so dass die [[Elektrische Spannung|Spannung]] an der Basis nie mehr als 0,3 V über dem Kollektorpotential liegen kann und nur so viel Strom in die Basis fließt wie nötig. Das ergibt einen [[Schottky-TTL|Schottky-Transistor]]. Die ungesättigten Transistoren sind schneller (es müssen keine überflüssigen Ladungsträger abgesaugt werden, ehe der Transistor ausschaltet) beziehungsweise man kann Transistoren höherer Stromverstärkung einsetzen und die gesamte Schaltung hochohmiger (und damit energiesparender) ausführen (Baureihen S für Schottky und LS für '''Low Power Schottky''').

=== Low-Voltage-TTL ===
Low-Voltage-TTL ''(LVTTL)'' ist eine besondere Form der Transistor-Transistor-Logik (Logikfamilie), bei der die Versorgungsspannung von 5 V auf 3,3 V reduziert ist.

{| class="wikitable"
|+ Low-Voltage-TTL-Logikpegel
|- class="hintergrundfarbe6"
!Symbol
!Parameter
!min
!max
|-
|UIH
|High-Level Input Voltage
|align="right"|2 V
|align="right"|UDD + 0,4 V
|-
|UIL
|Low-Level Input Voltage
|align="right"| −0,4 V
|align="right"|0,8 V
|-
|UOH
|High-Level Output Voltage
|align="right"|2,4 V
| 5 V
|-
|UOL
|Low-Level Output Voltage
| 0 V
|align="right"|0,4 V
|-
|}

=== Open Collector TTL ===
Standard-TTL-Schaltkreise können nicht für einen [[Datenbus|Datenbusses]] verwendet werden. Dieser Nachteil kann vermieden werden, indem Open Collector TTL-Schaltungen verwendet werden. Open Collector TTL-Schaltungen enthalten nicht den aktiven Pull-up-Transistor. Ausgänge von Open Collector TTL-Schaltkreisen können direkt an einen einfachen Pull-up-Widerstand angeschlossen werden. Die [[Gatter (Elektronik)|Gatter]], die keine Daten senden, werden so gesteuert, dass ihre Ausgabe hoch ist und der Ausgang des Inverter-Transistors daher ausgeschaltet ist. Auf diese Weise kann der aktive Schaltkreis steuern, ob diese Linie hoch oder niedrig ist. Während auf diese Weise offene TTL-Schaltkreise für Open Collector TTL verwendet werden können, gehen viele der Vorteile von TTL-Schaltungen verloren, indem der aktive Pull-up-Transistor eliminiert wird. Die mit Standard-TTL-Schaltungen verbundene hohe Geschwindigkeit und hohe Immunität gegen [[Rauschen (Physik)|Rauschen]] gehen verloren, wenn Open Collector TTL-Schaltungen verwendet werden.<ref name=":0" />

=== Alte Typen und ihre Bezeichnungen ===
Standard TTL-ICs erkennt man an einer Bezeichnung der Form [[Logikfamilie#74er-, 54er- und 84er-Reihen|74xx bzw. 74xxx]], wobei „74“ auf die Logikfamilie und xx/xxx auf den Gatter-Typ (z. B. xx = „00“ entspricht [[NAND-Gatter|NAND]]) verweist. Die meisten Bausteine gibt es auch als 54xx für den militärischen Temperaturbereich bzw. als 84xx für den industriellen Temperaturbereich. In TTL-Technik aufgebaut sind auch die wenig verbreitete 49xx-Serie sowie die 75xx-Serie, die in erster Linie [[Pegelumsetzer|Interface-, Pegelwandler- und andere Anpassschaltungen]] umfasst.

Die Bezeichnungen der Varianten orientieren sich im Allgemeinen an dem Standardtyp, zu dem der Baustein anschluss- und funktions-kompatibel ist, wobei die Variante durch eingeschobene Buchstaben gekennzeichnet wird. Der Versorgungsspannungsbereich und die Signalpegel sind nicht notwendig kompatibel. Neben den bisher genannten gibt es noch zahlreiche weitere TTL-Varianten, beispielsweise:

* 74L: Low-Power TTL mit geringerem Stromverbrauch bei geringerer Schaltgeschwindigkeit
* 74H: High-Speed TTL mit sehr viel höherer Schaltgeschwindigkeit bei höherem Stromverbrauch
* 74S: Schottky TTL mit höherer Schaltgeschwindigkeit bei höherem Stromverbrauch
* 74F: Fast-Schottky
* 74LS: Low power Schottky
* 74AS bzw. 74ALS: Advanced Schottky

=== Aktuelle Typen ===
Gängige TTL-Bausteine tragen die Bezeichnung 74nn(n)xx(xx), wobei n die Logikfamilie (Technologie) ist und x die Bauteil-Funktion codiert. Bausteine des Typs 74xx sind veraltet. Es wird nur noch 74LS (low-power-schottky-Nachfolger der 74er Logikfamilie) und 74F (''fast'' Schottky) gefertigt. Nachfolger sind in CMOS-Technologie:
* 74HC: aktuelle CMOS-Familie: HC steht für ''High Speed CMOS'', Versorgungsspannung 2 …6 V, max. Frequenz ca. 25 MHz
* 74AHC, 74AC: wesentlich schneller als 74HC (A steht für ''advanced'')
* 74HCT: ähnlich 74HC, aber TTL-kompatibel, Versorgungsspannung 4,5…5,5 V
* 74ACT: ähnlich AC, aber TTL-kompatibel

Die 1970 eingeführte [[Logikfamilie#4000er-Reihe|4000er-Reihe]] war die erste CMOS-Logikfamilie, gegenüber TTL stromsparend, aber langsam (Grenzfrequenz bei 1 MHz) und nicht pin- und logik-kompatibel zu TTL (Versorgungsspannung 3 bis 15 V). Sie hat einen anderen Bezeichnungsschlüssel.

== Verwandte Logikfamilien ==
Als Vorläufer-Logikfamilien der TTL-Familie können die [[Widerstands-Transistor-Logik]] und die [[Diode-Transistor-Logik]] betrachtet werden. Diese beiden Logikfamilien sind veraltet und haben heute praktisch keine Bedeutung mehr.

Nah mit der TTL-Familie ist die [[langsame störsichere Logik]] verwandt, die in der Vergangenheit für Spezialanwendungen eingesetzt wurde. Wie der Name suggeriert, ist sie mit 200 ns Signallaufzeit um ein vielfaches langsamer als Bauteile der TTL-Familie. Heute hat diese Logikfamilie ebenfalls praktisch keine nennenswerte Bedeutung mehr.

== Literatur ==
* Klaus Wüst: ''Mikroprozessortechnik.'' 2. aktualisierte und erweiterte Auflage, Friedr. Vieweg & Sohn Verlag | GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden 2006, ISBN 978-3-8348-0046-6.

== Weblinks ==
* [http://www.datasheetcatalog.net/de/ www.datasheetcatalog.net] (Verzeichnis von Datenblattsammlungen elektronischer Bauteile)

== Einzelnachweise ==
<references />

{{Normdaten|TYP=s|GND=4078444-7}}

[[Kategorie:Digitaltechnik]]
[[Kategorie:Digitale Schaltungstechnik]]